ตามหัวข้อเลยครับ two-dimensional electron gas (2DEG) คือผมหามาหลายวันแล้วไม่เข้าใจเลยครับ มีใครสามารถอธิบาย หลักการ ได้บ้างไหมครับ ?
ที่ผมอ่านเจอสรุปได้ตอนนี้ก็มี
1. 2DEG เกิดจากการปลูกฟิลม์บางระดับนาโน หรือ เล็กกว่า จนมองว่ามีแค่สองมิติ (เป็นแผ่น) ทำให้การเคลื่อนที่ของอิเล็กตรอนเสมือนอยู่ 2มิติ เท่านั้น
2. การที่มันปลูกฟิลม์เป็นชั้นๆ ช่วงรอยต่อ interface จะทำให้เกิดหลุมศักย์เพื่อกักขังอิเล็กตรอน ทำให้มันเคลื่อนที่ใน สองมิติ เท่านั้น
แล้วก็มีรูปกราฟตามนี้ครับ
http://en.wikipedia.org/wiki/2DEG#mediaviewer/File:HighElectronMobilityTrasistor_Band_Image.PNG
แล้วนี่เป็น การปลูกฟิลม์ครับ
The Hall sensors were fabricated using molecular beam epitaxy on a GaAs substrate. First an AlSb buffer layer was deposited followed by an AlGaSb insulator/charge donor. On top of the AlGaSb, 150A ˚ InAs was deposited, where the 2DEG resides. The 2DEG was capped with an additional layer of AlGaSb and SiO2. The total capping layer thicknesses bury the 2DEG approximately 100nm underneath the surface adversely affecting the device/head spacing.
สรุปคืออยากรู้ว่า ที่ผมคิดทั้ง 2 ข้อถูกไหม หรือ มีใครสามารถอธิบายได้ว่าทำไม มันถึงเคลื่อนที่ได้ในสองมิติ แล้วทำไมมันอิเล็กตรอนถึงถูกกักขัง (กักขังยังไง)
ขอบคุณครับ
two-dimensional electron gas (2DEG)
ที่ผมอ่านเจอสรุปได้ตอนนี้ก็มี
1. 2DEG เกิดจากการปลูกฟิลม์บางระดับนาโน หรือ เล็กกว่า จนมองว่ามีแค่สองมิติ (เป็นแผ่น) ทำให้การเคลื่อนที่ของอิเล็กตรอนเสมือนอยู่ 2มิติ เท่านั้น
2. การที่มันปลูกฟิลม์เป็นชั้นๆ ช่วงรอยต่อ interface จะทำให้เกิดหลุมศักย์เพื่อกักขังอิเล็กตรอน ทำให้มันเคลื่อนที่ใน สองมิติ เท่านั้น
แล้วก็มีรูปกราฟตามนี้ครับ http://en.wikipedia.org/wiki/2DEG#mediaviewer/File:HighElectronMobilityTrasistor_Band_Image.PNG
แล้วนี่เป็น การปลูกฟิลม์ครับ
The Hall sensors were fabricated using molecular beam epitaxy on a GaAs substrate. First an AlSb buffer layer was deposited followed by an AlGaSb insulator/charge donor. On top of the AlGaSb, 150A ˚ InAs was deposited, where the 2DEG resides. The 2DEG was capped with an additional layer of AlGaSb and SiO2. The total capping layer thicknesses bury the 2DEG approximately 100nm underneath the surface adversely affecting the device/head spacing.
สรุปคืออยากรู้ว่า ที่ผมคิดทั้ง 2 ข้อถูกไหม หรือ มีใครสามารถอธิบายได้ว่าทำไม มันถึงเคลื่อนที่ได้ในสองมิติ แล้วทำไมมันอิเล็กตรอนถึงถูกกักขัง (กักขังยังไง)
ขอบคุณครับ