คำตอบที่ได้รับเลือกจากเจ้าของกระทู้
ความคิดเห็นที่ 3
เพราะว่ามีสิ่งที่เรียกว่า grain boundary ครับ
ทำให้การไหลของอิเล็กตรอนไม่เป็นไปในทิศทางเดียวกัน
กล่าวอีกนัยนึงคือมีสิ่งที่เรียกว่าจุดบกพร่องผลึกเป็นแนวยาว ทำให้เกิดคล้ายๆกำแพงมาขวางกั้นอิเล็กตรอน
อธิบายง่ายๆว่าเราเป็นอิเล็กตรอน defectในC-Si คือเสา แล้ว grain boundary ใน Poly-Si คือกำแพง
เวลาเราวิ่งอ้อมกำแพง(ปีนข้ามกำแพง) มันก็ต้องใช้ระยะทางหรือพลังงานมากกว่าวิ่งอ้อมเสา
ส่วนทฤษฎีเรื่องนี้มี แต่ยากพอสมควรครับ(มันต้องลงลึกระดับquantum)
ข้อมูลเพิ่มเติมครับ:http://www.iue.tuwien.ac.at/phd/holzer/node45.html
ทำให้การไหลของอิเล็กตรอนไม่เป็นไปในทิศทางเดียวกัน
กล่าวอีกนัยนึงคือมีสิ่งที่เรียกว่าจุดบกพร่องผลึกเป็นแนวยาว ทำให้เกิดคล้ายๆกำแพงมาขวางกั้นอิเล็กตรอน
อธิบายง่ายๆว่าเราเป็นอิเล็กตรอน defectในC-Si คือเสา แล้ว grain boundary ใน Poly-Si คือกำแพง
เวลาเราวิ่งอ้อมกำแพง(ปีนข้ามกำแพง) มันก็ต้องใช้ระยะทางหรือพลังงานมากกว่าวิ่งอ้อมเสา
ส่วนทฤษฎีเรื่องนี้มี แต่ยากพอสมควรครับ(มันต้องลงลึกระดับquantum)
ข้อมูลเพิ่มเติมครับ:http://www.iue.tuwien.ac.at/phd/holzer/node45.html
แสดงความคิดเห็น
ผลึกเดี่ยว(Crystalline) ผลึกรวม(Polycrystalline) ต่างกันยังไง?
คืออยากรู้ว่าเพราะอะไรโมเลกุลที่เรียงตัวเป็นระเบียบถึงทำงานได้ดีกว่าอ่ะค่ะ อยากรู้ในทางทฤษฎีวิทยาศาสตร์
ขอบคุณค่ะ