สุดยอดความคิดเห็น
ความคิดเห็นที่ 5
แค่พลาสติดกับทองเหลือง ทำไมบันทึกสิ่งต่างๆได้มากมาย แฟรตไดฟ์ sd card
ขออธิบายด้วยภาพเหล่านี้นะครับ
เริ่มด้วยภาพของ SD card ก่อน ภายใต้พลาสติก และ ทองเหลือง ข้างใน SD card จะมี memory chip อยู่ครับ
ก็คือ chip สี่เหลี่ยมสีดำนี่เอง อย่างตัวนี้ผลิตโดยบริษัท Hynix semiconductor
ข้างใน memory chip จะมีแผ่น silicon ที่เรียกว่า DIE ครับ แผ่น DIE นี้จะบรรจุวงจรที่ทำหน้าที่เก็บข้อมูล Digital
เป็น Bit , Byte ที่เราเคยได้ยินกันนั่นเอง แผ่น DIE นี้จะมีขนาดเพียงปลายนิ้วแบบในภาพ แต่ .... สามารถบรรจุ
วงจร electronic ที่เก็บข้อมูลได้อย่างมหาศาล
ภาพชิ้น DIE ใน memory chip
ภาพนี้ คือภาพอย่างง่ายของวงจร Electronic ที่บรรจุอยู่ในแผ่น DIE ในภาพบน
ความมหัศจรรย์ก็คือ แผ่น DIE แค่ปลายนิ้วเนี่ย สามารถบรรจุวงจรที่มี Transistor มากถึงระดับ "แสนล้าน" ตัว
ขอยกตัวอย่าง Flash drive หรือ Micro SD card ที่มีความจุ 128GB (Giga-Byte) แผ่น DIE ข้างใน memory chip
ของมันจะมีจำนวน Transistor มากถึง 128,000 ล้าน ตัว !!
แล้ว .... Transistor จำนวน "แสนล้าน" ตัว ไปยัดอยู่ในแผ่น Silicon DIE ขนาดปลายนิ้วได้อย่างไร ?
ก็ขอตอบว่ามันเป็นไปได้ด้วย Nano technology ที่ผ่านการพัฒนามาหลายสิบปีน่ะครับ
ภาพนี้ คือ Transistor ที่มีขายกันทั่วไป มันจะใช้ในวงจร Electronic ต่าง ๆ เช่นใน วิทยุ TV เครื่องเสียง
แต่ใน Memory chip ใน CPU ของคอมพิวเตอร์-Smartphone จะใช้แค่โครงสร้างเล็กจิ๋วข้างใน
ก้อนดำ ๆ ของ Transistor นี้ ไปผ่านกระบวนการผลิตแบบ Nano technology .... จนสามารถบรรจุ
โครงสร้างของ Transistor จำนวนนับแสนล้านตัวไว้ข้างในแผ่น DIE แบบนั้นได้
ที่อธิบายมาทั้งหมดนี่แหละครับ คือความเป็นมาว่าทำไมแผ่น Mem card เล็ก ๆ จึงสามารถเก็บอะไร ๆ ได้มากขนาดนี้
ขออธิบายด้วยภาพเหล่านี้นะครับ
เริ่มด้วยภาพของ SD card ก่อน ภายใต้พลาสติก และ ทองเหลือง ข้างใน SD card จะมี memory chip อยู่ครับ
ก็คือ chip สี่เหลี่ยมสีดำนี่เอง อย่างตัวนี้ผลิตโดยบริษัท Hynix semiconductor
ข้างใน memory chip จะมีแผ่น silicon ที่เรียกว่า DIE ครับ แผ่น DIE นี้จะบรรจุวงจรที่ทำหน้าที่เก็บข้อมูล Digital
เป็น Bit , Byte ที่เราเคยได้ยินกันนั่นเอง แผ่น DIE นี้จะมีขนาดเพียงปลายนิ้วแบบในภาพ แต่ .... สามารถบรรจุ
วงจร electronic ที่เก็บข้อมูลได้อย่างมหาศาล
ภาพชิ้น DIE ใน memory chip
ภาพนี้ คือภาพอย่างง่ายของวงจร Electronic ที่บรรจุอยู่ในแผ่น DIE ในภาพบน
ความมหัศจรรย์ก็คือ แผ่น DIE แค่ปลายนิ้วเนี่ย สามารถบรรจุวงจรที่มี Transistor มากถึงระดับ "แสนล้าน" ตัว
ขอยกตัวอย่าง Flash drive หรือ Micro SD card ที่มีความจุ 128GB (Giga-Byte) แผ่น DIE ข้างใน memory chip
ของมันจะมีจำนวน Transistor มากถึง 128,000 ล้าน ตัว !!
แล้ว .... Transistor จำนวน "แสนล้าน" ตัว ไปยัดอยู่ในแผ่น Silicon DIE ขนาดปลายนิ้วได้อย่างไร ?
ก็ขอตอบว่ามันเป็นไปได้ด้วย Nano technology ที่ผ่านการพัฒนามาหลายสิบปีน่ะครับ
ภาพนี้ คือ Transistor ที่มีขายกันทั่วไป มันจะใช้ในวงจร Electronic ต่าง ๆ เช่นใน วิทยุ TV เครื่องเสียง
แต่ใน Memory chip ใน CPU ของคอมพิวเตอร์-Smartphone จะใช้แค่โครงสร้างเล็กจิ๋วข้างใน
ก้อนดำ ๆ ของ Transistor นี้ ไปผ่านกระบวนการผลิตแบบ Nano technology .... จนสามารถบรรจุ
โครงสร้างของ Transistor จำนวนนับแสนล้านตัวไว้ข้างในแผ่น DIE แบบนั้นได้
ที่อธิบายมาทั้งหมดนี่แหละครับ คือความเป็นมาว่าทำไมแผ่น Mem card เล็ก ๆ จึงสามารถเก็บอะไร ๆ ได้มากขนาดนี้
prontera ถูกใจ, สมาชิกหมายเลข 2624463 ถูกใจ, สมาชิกหมายเลข 2283119 ถูกใจ, สมาชิกหมายเลข 3871624 ถูกใจ, KPHW ถูกใจ, thaicomtc ถูกใจ, ภูฟ้าสีฝุ่น ถูกใจ, สมาชิกหมายเลข 3594182 ถูกใจ, สมาชิกหมายเลข 5395609 ถูกใจ, สมาชิกหมายเลข 4863022 ถูกใจรวมถึงอีก 76 คน ร่วมแสดงความรู้สึก
ความคิดเห็นที่ 6
พอเกะพลาสติกออก ก็จะเห็นวงจรอิเล็กทรอนิคขนาดใหญ่เลยล่ะครับ
แต่ถูกย่อขนาดให้มีขนาดเล็ก ด้วยเทคโนโลยี่นาโน
แต่ถูกย่อขนาดให้มีขนาดเล็ก ด้วยเทคโนโลยี่นาโน
prontera ทึ่ง, สมาชิกหมายเลข 2283119 ถูกใจ, สมาชิกหมายเลข 3594182 ถูกใจ, OUI340 ถูกใจ, ผมก็ไม่รู้ใช้ตั้งว่าชื่ออะไรดี ถูกใจ, สมาชิกหมายเลข 1574663 ถูกใจ, ฟิโลใบมะละกอ ทึ่ง, ต๊าก กะ ตุ๊ยพูดว่า ทึ่ง, PIK_แค่ผ่านมา ถูกใจ, สมาชิกหมายเลข 5494023 ถูกใจรวมถึงอีก 12 คน ร่วมแสดงความรู้สึก
ความคิดเห็นที่ 7
มันตือ EPRom
https://www.mindphp.com/คู่มือ/73-คืออะไร/2608-eprom-อีพร็อม.html
กลไกการทำงาน
http://202.28.94.51/web/apisak/322162/YearEduc2550/AssignMent/Assign2%20%20from%20Students/31%20Flash%20Memory/Flash%20Memory.doc
หลักการทำงาน
• หน่วยความจำแบบแฟลชเก็บข้อมูลไว้ในแถวของทรานซิสเตอร์แบบ floating-gate ที่เรียกว่า “เซล” โดยภายในหนึ่งเซลสามารถเก็บข้อมูลได้หนึ่งบิต หน่วยความจำแฟลช รุ่นใหม่ๆ ใช้เทคโนโลยีการผลิตที่เรียกว่า “เซลหลายระดับ” (multi-level cell หรือ MLC) ทำให้เก็บข้อมูลได้มากกว่าหนึ่งบิตภายในเซลเดียว
• การผลิตแฟลชแบบ NOR ทำได้โดยนำทรานซิสเตอร์แบบมอสเฟต (MOSFET) มาใช้สร้างเซล แต่เป็นมอสเฟตพิเศษที่มีขาเกตสองขา (ปรกติทรานซิสเตอร์แบบมอสเฟตจะมีขาเกตเพียงขาเดียว) เกตบนเรียกว่าเกตควบคุม (control gate ต่อไปจะเรียกว่า CG) ซึ่งเหมือนกับทรานซิสเตอร์แบบมอสทั่วไป และมีเกตล่าง เรียกว่าเกตลอยหรือ floating-gate (ต่อไปจะเรียกย่อว่า FG) เกตทั้งสองถูกแยกไว้ไว้ด้วยชั้นบางๆ ของออกไซด์
• ด้วยเหตุที่ FG และ CG ถูกแยกกันไว้ด้วยชั้นบางๆ จึงมีผลให้ประจุอิเล็กตรอนถูกกักไว้ในบริเวณนั้นได้นานหลายปี หากไม่ถูกป้อนไฟฟ้า เซลของ NOR จะมีตรรกะเป็นจริง (ตรงกับเลข 1 ในระบบเลขฐานสอง) วิธีโปรแกรมให้เซลกลายเป็นศูนย์ทำได้โดยใช้กรรมวิธี ต่อไปนี้ป้อนไฟฟ้าไปยัง CG
• อิเล็กตรอนจะไหลระหว่างขาซอร์สและขาเดรน
• แรงดันที่ขา CG จะเพิ่มขึ้นจนเกิดสนามไฟฟ้าที่แรงมากพอจะกักอิเล็กตรอนไว้ในช่องว่างได้ กระบวนการนี้เรียกว่า “การฉีดอิเล็กตรอนร้อน” (hot-electron injection
https://www.mindphp.com/คู่มือ/73-คืออะไร/2608-eprom-อีพร็อม.html
กลไกการทำงาน
http://202.28.94.51/web/apisak/322162/YearEduc2550/AssignMent/Assign2%20%20from%20Students/31%20Flash%20Memory/Flash%20Memory.doc
หลักการทำงาน
• หน่วยความจำแบบแฟลชเก็บข้อมูลไว้ในแถวของทรานซิสเตอร์แบบ floating-gate ที่เรียกว่า “เซล” โดยภายในหนึ่งเซลสามารถเก็บข้อมูลได้หนึ่งบิต หน่วยความจำแฟลช รุ่นใหม่ๆ ใช้เทคโนโลยีการผลิตที่เรียกว่า “เซลหลายระดับ” (multi-level cell หรือ MLC) ทำให้เก็บข้อมูลได้มากกว่าหนึ่งบิตภายในเซลเดียว
• การผลิตแฟลชแบบ NOR ทำได้โดยนำทรานซิสเตอร์แบบมอสเฟต (MOSFET) มาใช้สร้างเซล แต่เป็นมอสเฟตพิเศษที่มีขาเกตสองขา (ปรกติทรานซิสเตอร์แบบมอสเฟตจะมีขาเกตเพียงขาเดียว) เกตบนเรียกว่าเกตควบคุม (control gate ต่อไปจะเรียกว่า CG) ซึ่งเหมือนกับทรานซิสเตอร์แบบมอสทั่วไป และมีเกตล่าง เรียกว่าเกตลอยหรือ floating-gate (ต่อไปจะเรียกย่อว่า FG) เกตทั้งสองถูกแยกไว้ไว้ด้วยชั้นบางๆ ของออกไซด์
• ด้วยเหตุที่ FG และ CG ถูกแยกกันไว้ด้วยชั้นบางๆ จึงมีผลให้ประจุอิเล็กตรอนถูกกักไว้ในบริเวณนั้นได้นานหลายปี หากไม่ถูกป้อนไฟฟ้า เซลของ NOR จะมีตรรกะเป็นจริง (ตรงกับเลข 1 ในระบบเลขฐานสอง) วิธีโปรแกรมให้เซลกลายเป็นศูนย์ทำได้โดยใช้กรรมวิธี ต่อไปนี้ป้อนไฟฟ้าไปยัง CG
• อิเล็กตรอนจะไหลระหว่างขาซอร์สและขาเดรน
• แรงดันที่ขา CG จะเพิ่มขึ้นจนเกิดสนามไฟฟ้าที่แรงมากพอจะกักอิเล็กตรอนไว้ในช่องว่างได้ กระบวนการนี้เรียกว่า “การฉีดอิเล็กตรอนร้อน” (hot-electron injection
สมาชิกหมายเลข 5395609 ถูกใจ, ผมก็ไม่รู้ใช้ตั้งว่าชื่ออะไรดี ถูกใจ, Bowl ทึ่ง, VR38DETT ถูกใจ, NickPissanu ถูกใจ, RoAdSidE ถูกใจ, LiquidShadow ถูกใจ
แสดงความคิดเห็น
แค่พลาสติดกับทองเหลือง ทำไมบันทึกสิ่งต่างๆได้มากมาย แฟรตไดฟ์ sd card
อยากทราบว่าใครเป็นคนคิดอุปกรณ์ จดจำต่างๆ เช่น แฟตรได้ ฮาร์ตดิส sd card
ผมสงสัยมานานแล้วครับ ทำไม ใครทราบช่วยแนะนำทีนะครับ