คำตอบที่ได้รับเลือกจากเจ้าของกระทู้
ความคิดเห็นที่ 1
วงจรขยายเสียง จะขับ Vgs แค่ 4 ถึง 5V
ทรานสิสเตอร์มอสเฟ็ตทำงานย่าน linear จะต้องระบายความร้อนให้ดีๆ ไม่งันทรานสิสเตอร์จะระเบิดจากความร้อน
ส่วน
มอสเฟ็ตในวงจรสวิสชิ่งพาวเวอร์ซัพพลาย
จะต้องทำงาน เป็นสวิส เปิดและปิดกระแสได้เร็วๆ
ดังนั้น Vgs จะต้องประมาณ 10V ถึง 15V ความเร็วของ rise timeจะต้องเร็วประมาณ 0.1uS
fall time 0.5uS
ถ้าขับ rise time หรือ fall time ช้าเกินไป ทรานสิสเตอร์จะระเบิดจาก power dissipationอย่างที่เห็นๆ
ทรานสิสเตอร์มอสเฟ็ตทำงานย่าน linear จะต้องระบายความร้อนให้ดีๆ ไม่งันทรานสิสเตอร์จะระเบิดจากความร้อน
ส่วน
มอสเฟ็ตในวงจรสวิสชิ่งพาวเวอร์ซัพพลาย
จะต้องทำงาน เป็นสวิส เปิดและปิดกระแสได้เร็วๆ
ดังนั้น Vgs จะต้องประมาณ 10V ถึง 15V ความเร็วของ rise timeจะต้องเร็วประมาณ 0.1uS
fall time 0.5uS
ถ้าขับ rise time หรือ fall time ช้าเกินไป ทรานสิสเตอร์จะระเบิดจาก power dissipationอย่างที่เห็นๆ
แสดงความคิดเห็น
ขอความรู้เรื่อง การ GATE MOSFET...(search google แล้วครับ...ยังไม่ได้คำตอบ)....ผมเรียนรู้เองครับ
ใน mode switch
....เราสามารถ Set Vgs เกิน ที่ระบุใน Graph (จริงๆ)ได้หรือไม่(...ไม่เกินค่า maximum)
ผมทดลองใช้ IRFP460 ที่ Vgs 15V / R(load) 50K
ที่ Vdd 24 VDC - mosfet ไม่เสียหาย สามารถ on-off LOAD ได้
ที่ Vdd 200 VDC - mosfet เสียหาย ????
1.ทำไมครับ
2.ผมสามารถ Set Vgs ได้ที่เท่าไหร่ขึ้นกับอะไร ???? (Vgs=5vได้ไหม หรือ Vgs=15Vได้ไหม)
3.ถ้าผมต้องการใช้ Vdd 200V ,Id 20 amp(ที่ R(load)ใดๆ).....ผม Set Vgs=5.5Vได้หรือต่างอย่างไรกับ Set 10V(ใน Test condition...ใช้ 10V)
*Vgs(max) +-20V Vds(max) 500V Id(max) 20A
*....ใน google บอกแต่ช่วง Saturate และ CutOff ผมหาไอ้ที่เกินค่า Graph ไม่ได้